氧化镓参数介绍

表面取向

（010）

（001）

（010）

（001）

尺寸

10mm×15mm

2inch/10mm×15mm

10mm×15mm

2inch/10mm×15mm

掺杂剂

Fe

Sn

Fe

Sn

导电类型

Insulating(> 1010Ω·cm)

n-type

Insulating(> 1010Ω·cm)

n-type

掺杂浓度

___

1×1018-2×

1019cm-3

___

1×1018-2×

1019cm-3

厚度

0.50±0.02mm

0.65±0.02mm

0.70±0.10mm

0.70±0.10mm

XRD FWHM

≤150arcsec

≤150arcsec

≤350arcsec

≤350arcsec

晶型

β-Ga2O3

β-Ga2O3

厚度范围

0.1-5μm

0.1-5μm

厚度偏差

±5%

±10%

厚度均匀性

≤2%

≤5%

掺杂剂

Si   /   -

Si   /   -

导电类型

n-type     /    UID

n-type     /    UID

掺杂浓度

1×1017-1×1019cm-3

1×1017-1×1019cm-3

掺杂浓度偏差

±10%

±15%

掺杂浓度均匀性

≤5%

≤10%

表面粗糙度

RMS≤0.5nm（10μm×10μm）

RMS≤3nm（10μm*10μ m）

总缺陷密度

（孔洞）

<1cm-2

<2cm-2

可用面积

（无缺陷表面

占比 1mm

×1mm area）

≥95%

≥90%

衬底材料

Al2O3

Al2O3

直径

φ50.8mm

φ50.8mm

表面取向

（0001）

（0001）

厚度

0.43mm

0.43mm

厚度范围

0.01-2μm

0.01-2μm

厚度偏差

±5%

±10%

厚度均匀性

≤5%

≤10%

晶型

β-Ga2O3 / ε-Ga2O3

β-Ga2O3 / ε-Ga2O3

导电类型

(-201) / (002)

(-201) / (002)

导电类型

UID

UID

表面粗糙度

RMS≤5nm（10μm×10μm）

RMS≤5nm（10μm ×10μ m）

总缺陷密度

（孔洞）

<1cm-2

<2cm-2

可用面积

（无缺陷表面

占比 1mm

×1mm area）

≥95%

≥90%